“갤럭시S8, 10나노 8GB 램 탑재”

삼성전자의 프리미엄 스마트폰 차기작 갤럭시S8에 8GB 램이 탑재될 것이란 전망이 나왔다.
미국 IT전문매체 폰아레나는 삼성전자 기기에 정통한 한 소식통의 웨이보를 인용해 갤럭시S8이 8GB 랩을 탑재할 전망이라고 25일(현지시간) 보도했다.
또 8GB 램은 삼성전자가 자체적으로 10나노미터(㎚) 공정을 적용해 양산할 것이라고 예상했다. 중국을 겨냥한 일부 제품에 이미 6GB 램을 적용하고 있어 프리미엄 모델로서 스펙을 한층 더 강화할 것이라는 분석으로 보인다.
아울러 이 매체는 갤럭시S8이 내장 메모리로 256GB 용량의 ‘유니버설 플래시 스토리지(UFS) 2.1’를 채택할 것이라고 내다봤다.
UFS는 읽기와 쓰기가 동시에 가능한 초고속 플래시 메모리다. VR(가상현실) 콘텐츠를 비롯한 모바일 동영상 콘텐츠의 용량이 늘어나면서 차세대 스토리지로 각광받고 있는 제품이다.
[디지털뉴스국 박진형 기자]