반도체 불황 성능으로 넘는다…삼성 반도체 최고 속도 또 경신

↑ LPDDR5X D램 [사진 제공 = 삼성전자]

삼성전자가 지난해 개발한 저전력 DDR5X D램으로 업계 최고 동작 속도인 8.5Gbps를 구현했다. 1초에 영화 14편을 처리할 수 있는 속도다.
삼성전자는 퀄컴의 스냅드래곤 플랫폼에서 극자외선(EUV) 기술을 적용한 14나노 기반 저전력 DDR5X D램 8GB 패키지 동작 속도를 검증해 이같은 결과를 얻었다고 18일 밝혔다. 지난 3월 퀄컴과 협력해 동작 속도 7.5Gbps를 달성한 지 불과 5개월만에 한층 빨라진 속도다.
1Gbps 차이는 모바일 기기에 D램이 탑재됐을 때로 계산해보면, 1초당 4~5GB에 달하는 FHD(풀HD) 영화 2편을 더 처리할 수 있는 빠르기다. 삼성전자가 새로 개발한 저전력 D램의 동작 속도는 이전 세대 제품인 저전력 DDR5 동작 속도(6.4Gbps)보다 1.3배 빠르다. 삼성전자는 신제품에 메모리와 모바일 애플리케이션 프로세서(AP) 간 통신 신호 노이즈를 줄여주는 핵심 회로 설계 기술인 '고속 입출력 신호 개선 설계' 등을 적용했다.
기존에 스마트폰 등 모바일 기기에 주로 사용되던 저전력 D램은 서버와 고성능 컴퓨팅, 전장 등 다양한 분야에 사용되고 있다. 반도체 업계는 인공지능(AI)과 메타버스 등 미래 산업이 커지면서 저전력 D램 시장도 확대될 것으로 보고 있다. 특히 최근 친환경 흐름에 맞춰 많은 정보기술(IT) 업체들이 에너지 사용을 줄일 수 있는 방안을 고민중이라 저전력 D램 수요는 더욱 커질 것으로 예상된다.
삼성전자는 기술력을 바탕으로 저전력 DDR D램 시장에서 시장점유율 1위를 지키고 있다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 올해 2분기 저전력 D램 시장에서 삼성전자 점유율은 57.7%로 지난해 같은기간(54.9%)보다 2.8%포인트 성장했다.
삼성전자는 이르면 올해 안에 저전력 D램 신제품을 상용화할 것으로 예상된다. 이동기 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 부사장은 "저전력 DDR5X D램의 업계 최고 동작 속도를 구현하고 초고속 인터페이스 대중화를 1년 이상 앞당길 수 있게 됐다"며 "퀄컴과 차세대 메모리 표준 관련 기술 협력을 강화하는 등 초고속 메모리 시장을 확대하기 위해 적극적으로 나서겠다"고 밝혔다.
[이새하 기자]