삼성 "차세대 V낸드에 더블스택 도입…256단 적층까지 가능"

↑ 삼성전자 클린룸 반도체 생산현장. [사진 제공 = 삼성전자]

세계 낸드 점유율 1위 삼성전자가 차세대 V낸드에 '더블 스택' 기술을 도입해 256단 적층까지 가능하다고 했다.
1일 삼성전자에 따르면 메모리사업부 마케팅팀 한진만 전무는 전날 열린 '삼성전자 투자자 포럼 2020'에서 "차세대 V낸드에 '투 스택' 기술을 적용할 예정"이라며 "현재 6세대 V낸드는 '싱글 스택' 기술로 128단을 적층하는데, 투 스택 기술을 적용할 경우 단순 계산해 256단 적층까지 가능하다"고 밝혔다.
다만 "실제 적층 단수는 소비자 수요와 시장 상황 등을 고려해 내부 전략에 따라 달라질 것"이라며 "'얼마나 쌓을 수 있냐'가 아니라 '현시점에서 시장에 최적화된 단수가 무엇이냐'의 문제"라고 설명했다.
낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리 반도체다. 낸드플래시는 기본 저장 단위인 '셀'을 수직으로 높이 쌓아 올리는 것이 기술력으로, 쌓아 올리는 단 수를 늘릴수록 저장할 수 있는 데이터양이 많아진다.
더블 스택 기술은 단일로 셀을 쌓는 '싱글스택' 기술보다 적층 수를 빠르게 높일 수 있지만, 더 많은 공정 과정이 들어가는 단점이 있다.
삼성전자는 기존 128단의 6세대 V낸드를 넘어서는 7세대 V낸드를 개발하고 있는데, 양산 시점은 내년으로 예정돼 있다. 삼성은 7세대 낸드의 단수를 공개하지 않고 있다.
마지막으로 이날 한 전무는 "코로나19는 고통스러운 경험이었지만, 디지털 전환을 가속해 D램과 낸드플래시 등 메모리 반도체의 수요를 높였다"며 "삼성의 차별화된 극자외선(EUV) 시스템을 기반으로 첨단공정을 선도하며 시장의 높은 수요에 부응할 것"이라고 강조했다.
[김승한 기자 winone@mkinternet.com]