삼성전자 `3세대 10나노급(1z) D램` 개발…하반기 양산 돌입

↑ 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램. [사진제공 = 삼성전자]

삼성전자가 세계 최초 '3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램'을 개발했다.
삼성전자는 2세대 10나노급(1y) D램을 양산한지 16개월 만에 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램을 개발했다고 21일 밝혔다.
3세대 10나노급(1z) D램은 초고가 극자외선(EUV) 장비를 사용하지 않고도 기존 10나노급(1y) D램보다 생산성을 20% 이상 향상시켰다. 속도 증가로 전력효율 역시 개선됐다.
또 삼성전자는 3세대 10나노급(1z) D램 기반 PC용 DDR4 모듈로 글로벌 CPU 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 완료했다. 이에 따라 글로벌 IT 고객 수요를 본격 확대해 나갈 수 있게 됐다.
삼성전자는 올해 하반기 3세대 10나노급(1z) D램을 양산하고, 2020년에는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램(DDR5, LPDDR5 등)을 본격적으로 공급해 나갈 방침이다.
이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 부사장은 "미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 됐다"며 "향후 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 글로벌 고객의 차세대 시스템 적기 출시 및 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여해 나갈 것"이라고 말했다.
[디지털뉴스국 김승한 기자]