삼성전자가 중국 산시성 시안시에서 현지 메모리 반도체 공장 건립을 마무리하고 본격적으로 가동에 돌입한다.
삼성전자는 9일 자오정융 중국 산시성 당서기, 권영세 주중 한국대사, 권오현 삼성전자 대표이사를 비롯해 회사 경영진이 참석한 가운데 시안 메모리 반도체 공장 준공식을 열고 본격적인 제품 생산에 들어갔다.
지난 2012년 9월 첫 삽을 뜬 시안의 메모리 반도체 공장은 총 70억달러(약 7조5243억원)를 들여 20개월간의 공사를 거쳐 완성됐다.
총 115만㎡ 부지에 연면적 23만㎡ 규모로 건설된 해당 공장은 한국에서 성능과 양산성이 확인된 10나노급 낸드플래시(V-NAND) 메모리를 두 번째로 생산한다.
해당 공장은 미국 오스틴 공장에 이어 삼성전자가 두 번째로 추진하는 해외 반도체 생산 라인으로 공장에는 중국인 1300여명을 비롯해 2000여명의 직원이 근무하게 된다.
삼성전자는 시안 공장의 가동으로 한국, 중국, 미국을 연결하는 '글로벌 반도체 생산 3거점 체제'를 구축했다고 의미를 부여했다.
또 시스템 반도체 중심인 미국, 메모리 반도체 중심인 중국, 모든 반도체 제품을 생산·조정하는 한국이라는 '포트폴리오'를 의미한다는 설명이다.
삼성전자는 10나노급 낸드플래시 제품의 '듀얼 생산체계'를 구축함으로써 생산규모 확대를 통해 보다 안정적인 제품 공급이 가능할 것으로 기대하고 있다.
시안 공장 준공은 글로벌 IT기업들의 생산거점이자 세계 낸드플래시 수요의 50%를 차지하는 중국에서 제품을 직접 생산·공급하게 됐다는 의미도 가진다.
권 대표이사는 기념사를 통해 "과거 시안에서 출발한 실크로드
삼성전자는 올해 말 후공정(반도체 테스트 및 패키징) 라인도 완공해 일관 생산체제를 완성할 계획도 갖고 있다.
[매경닷컴 배윤경 기자]
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