하이닉스, 세계 최초 30나노급 4Gb D램 개발

하이닉스반도체는 세계 최초로 30나노급 기술을 적용한 고용량의 4기가비트 DDR3 D램을 개발했다고 밝혔습니다.
또 30나노급 2기가비트 DDR3 D램에 대한 개발도 계획대로 완료해 내년 1분기 양산에 들어간다고 덧붙였습니다.
이번에 개발된 30나노급 4기가비트 DDR3 D램은 대용량 프리미엄 서버와 고사양 개인용 컴퓨터에서 요구하는 고용량ㆍ고성능ㆍ저전력 특성을 만족시킬 수 있는 제품으로, 하이닉스는 향후 이 제품으로 프리미엄 제품 시장을 선점한다는 계획입니다.
30나노급 D램은 기존 40나노급 D램보다 생산성이 70%가량 향상돼 원가경쟁력을 강화할 수 있고, 최대 2천133Mbps의 데이터 처리속도를 구현해 기존 대비 처리속도가 60%가량 빨라졌습니다.


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